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硅APD探測器LD-Si-010

更新時間：2023-08-18

簡要描述：

硅APD探測器LD-Si-010是0.4～1.1μm波長光信號的優(yōu)良探測器，它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測距、測速、測角、光電探測和光電對抗等系統(tǒng)。

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產(chǎn)品介紹：

硅APD探測器LD-Si-010是0.4～1.1μm波長光信號的優(yōu)良探測器，它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測距、測速、測角、光電探測和光電對抗等系統(tǒng)。

硅APD探測器LD-Si-010

光電特性

T_A=23℃

項(xiàng)目				符號	單位	數(shù)值
項(xiàng)目				符號	單位	小	典型	大
1	光敏面尺寸	直徑		Ф	mm		0.8
1	光敏面尺寸	面積		A	mm²		0.5
2	光譜響應(yīng)范圍				nm	400		1100
3	暗電流			I_d	nA			100
4	工作電壓			V_opt	V	275		425
5	工作電壓溫度系數(shù)			K	V/℃	1.0		2.4
6	電壓響應(yīng)度	1064nm		R_V	V/W×10⁵	1.1	1.4
6	電壓響應(yīng)度	900nm		R_V	V/W×10⁵	4.9	5.6
7	噪聲等效功率	1064nm		NEP	pW/Hz^1/2		0.11	0.27
7	噪聲等效功率	900nm		NEP	pW/Hz^1/2		0.027	0.06
8	響應(yīng)上升時間			T_r	ns		8	10
9	響應(yīng)下降時間			T_f	ns		8	10
10	輸出阻抗				Ω		25	50
11	線性電壓輸出范圍				V		0.7
12	電壓輸出范圍				V			2.0
13	輸出端偏壓				V	0.0	-0.7	-1.0
14	放大器電源電壓			Vs	V	±5.5	±6.0	±9.0
15	放大器電源電流			Is	mA		5	8
16	工作環(huán)境溫度			Ta	℃	-40		+70
17	大反向暗電流			I_D	μA			100
	大光電流		平均值	I_P	mA			2.5
	大光電流		峰值	I_P	mA			10

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