更新時(shí)間：2023-08-18
光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時(shí)間短；無閃動(dòng)噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器簡介：
PVI-n（n表示特性波長，單位是微米）系列探測(cè)器是紅外光電探測(cè)器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。
光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PVI-3 | LD-PVI-4 | LD-PVI-5 | LD-PVI-6 | LD-PVI-8 |
特性波長λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探測(cè)率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥5E10 ≥5E10 |
≥3E10 ≥2E10 |
≥1.5E10 ≥9E9 |
≥8E9 ≥4E9 |
≥8E9 ≥4E8 |
響應(yīng)度 | A/W | ≥0.5 | ≥1 | ≥1 | ≥1 | ≥0.3 |
響應(yīng)時(shí)間τ | ns | ≤350 | ≤150 | ≤120 | ≤80 | ≤4 |
響應(yīng)時(shí)間τ(加反向偏壓) | ns | ≤3 | ≤1 | ≤0.7 | ≤0.5 | ≤0.7 |
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積 | Ω·cm 2 | ≥100 | ≥6 | ≥1 | ≥0.2 | ≥0.01 |
光學(xué)面積（長×寬） 或直徑(圓形) | mm x mm mm | 0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3 | ||||
工作溫度 | K | 300 | ||||
視場, F# | deg | 36, 1.62 | ||||
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